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本书主要介绍二维半导体物理的 研究近况和本书作者 近的研究成果，着重在物理方面，内容包括二维半导体的结构、电子态、 性原理计算方法、紧束缚方法、声子谱、光学性质、输运性质、缺陷态、磁性二维半导体、催化作用等。每一章开始先简单介绍三维半导体的有关性质和理论，读者可以比较三维和二维的差别和相同之处。

前言

第1章 晶体结构和能带

1.1 氮化硼

1.2 黑磷

1.3 砷烯和锑烯

1.4 MX2（M=Mo,W;X=S,Se）

1.5 VX2（X=S,Se和Te）

1.6 SnX2（X=S,Se）

1.7 MX（M=Sn,Ge;X=S,Se）

1.8 ReX2（X=S,Se）

1.9 MX（M=B,Al,Ga,In;X=O,S,Se,Te）

参考文献

第2章 性原理计算方法

2.1 量子力学理论基础简介

2.1.1 多粒子体系薛定谔方程

2.1.2 Born-Oppenheimer近似

2.1.3 Hartree-Fock近似

2.2 密度泛函理论简介

2.3 多体格林函数理论

2.3.1 单粒子格林函数

2.3.2 Dyson方程

2.3.3 Hedin方程

2.3.4 GW近似

2.3.5 Bethe-Salpeter方程

参考文献

第3章 二维半导体结构与声子谱

3.1 晶体振动的一般理论

3.2 二维半导体的声子色散关系

3.3 力学性质

参考文献

第4章 二维半导体的光学性质

4.1 半导体的带间跃迁

4.2 激子效应

4.3 MX（M=Sn,Ge;X=S,Se）的光学性质

4.4 黑磷多层的光学性质

4.5 SnS2和SnSe2二维材料的激子效应

4.6 黑磷的激子效应

4.7 单层MoS2的发光

4.8 α-tellurene的激子态和振荡强度

4.9 二维半导体SnSSe激子效应的理论计算

4.10 二维半导体MM′XX′（M,M′=Ga,In;X,X′=S,Se,Te）激子效应的理论计算

参考文献

第5章 二维半导体中的缺陷态和合金

5.1 三维半导体中的杂质和缺陷

5.2 研究深能级杂质的集团模型方法

5.3 二维半导体杂质缺陷类型

5.4 二维半导体杂质缺陷态结合能的 性原理计算

5.5 二维半导体中的杂质缺陷态

5.6 单层过渡金属硫化物的缺陷态

5.7 单层MX2中的其他缺陷

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书籍介绍

本书主要介绍二维半导体物理的国际研究近况和本书作者最近的研究 成果，着重在物理方面，内容包括二维半导体的结构、电子态、第一性原 理计算方法、紧束缚方法、声子谱、光学性质、输运性质、缺陷态、磁性 二维半导体、催化作用等。每一章开始先简单介绍三维半导体的有关性质 和理论，读者可以比较三维和二维的差别和相同之处。